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光电探测器相关内容

红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多,探测器的时间常数一般为50～500微秒,HgCdTe探测器的时间常数在10-6～10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号,例如10-14 瓦；输出的电信号也非常小,因此要有专门的前置放大器。在动态特性（即频率响应与时间响应）方面，以光电倍增管和光电二极管（尤其是PIN管与雪崩管）为好；在光电特性（即线性）方面，以光电倍增管、光电二极管和光电池为好；在灵敏度方面，以光电倍增管、雪崩光电二极管、光敏电阻和光电三极管为好。值得指出的是，灵敏度高不一定就是输出电流大，而输出电流大的器件有大面积光电池、光敏电阻、雪崩光电二极管和光电三极管；外加偏置电压低的是光电二极管、光电三极管，光电池不需外加偏置；在暗电流方面，光电倍增管和光电二极管小，光电池不加偏置时无暗电流，加反向偏置后暗电流也比光电倍增管和光电二极管大；长期工作的稳定性方面，以光电二极管、光电池为，其次是光电倍增管与光电三极管；在光谱响应方面，以光电倍增管和CdSe光敏电阻为宽，但光电倍增管响应偏紫外方向，而光敏电阻响应偏红外方向。

光电探测器技术

可见光探测

可见光CCD 和CMOS 成像器由于其体积小、重量轻、功耗低、寿命长、可靠和耐冲击等诸多特点，现在已广泛用于军事遥感、侦察、飞机导航、和的制导等现代军事装备中。民用也极其广泛，如保安、监控、可视门铃、视频电子邮件、可视电话、视频会议、数码相机以及***和生物科学实验记录等都在使用CCD 和CMOS 成像器。

现代可见光成像器已是数字化的，可以保存在软盘、硬盘和光盘中，再用计算机阅读、显示和打印出来。这种图像还可以修补、剪贴和远距离传输，这也是现代通讯的主要内容之一。

***的图像传感器的基本指标是清晰度（光敏元数）、灵敏度（量子效率）、动态范围（满阱电荷数）、信噪比（暗电流等噪声源）等，并与实用中常碰到的光学孔径、拖影、光晕、闪烁、图像滞后等图像性质有关，因此现代的***技术都是在为进一步提高这些基本指标和改善上述的图像性质而努力。

光电探测器噪声分类

1、噪声：由于光电探测器在光辐射作用或热激发下，光电子或载流子随机产生造成的。存在于真空发射管和半导体器件中，属于白噪声。

2、热噪声：暗电流大小与偏压、温度及反向饱和电流密切相关。PN结外加正向偏压，暗电流随外加电压增大成指数急剧增大，远大于光电流，因此加正偏压无意义。PN结外加反向偏压，暗电流随反向偏压增大有所增大，*后等于反向饱和电流，其值远小于光电流。

3、产生-复合噪声：半导体中载流子产生与复合的随机性而引起的载流子浓度的起伏。与噪声本质相同，都是由于载流子随机起伏所致，所以有时将该噪声归并为噪声。不是白噪声，低频限噪声。是光电探测器的主要噪声源。

4、1/f噪声：（又称电流噪声、闪烁噪声或过剩噪声），低频噪声，几乎所有探测器都存在。探测器表面工艺状态对该噪声影响很大。频谱近似与频率成反比。主要出现在1kHz以下的低频区，工作频率大于1kHz时，与其他噪声相比可忽略。

5、倍增噪声：光电倍增管

6、雪崩噪声：雪崩光电二极管

7、温度噪声：热探测器本身吸收和传导等热交换引起的温度起伏。