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光电探测器的概述??

光电探测器在光通信系统中实现将光转变成电的作用，这主要是基于半导体材料的光生伏应，所谓的光生伏应是指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。(光电导效应是指在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化的象。光电探测器原理--应用光电探测器是一种能够将光辐射转换成电量的一个器件，它利用这个特性可以进行显示及控制的功能。即当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象，光子作用于光电导材料，形成本征吸收或杂质吸收，产生附加的光生载流子，从而使半导体的电导率发生变化，产生光电导效应。

光电探测器

探测带宽可能从0 Hz或者某一有限频率处开始，而峰值频率由内部过程（例如，半导体材料中载流子的速度）或者相关的电子学器件（例如，引入一些RC时间常数）来决定。某些谐振腔探测器只工作在很窄的频率范围内，非常适合锁相探测。 有些探测器（例如热释电探测器）非常适合探测脉冲，不适合探测连续光。 当探测脉冲（几个光子量级）时，计时精度非常重要。有些探测器探测一个脉冲后具有一段“死区时间”，在该时间内灵敏度很低。因为有这三个窗口，所以可以被应用到很多方面，比如红外夜视，热红外成像等方面。 不同类型的探测器需要不同的复杂电子学装置。当需要施加高电压或者探测非常小电压时，就会使器件尺寸变大，成本变高。 尤其是有些中红外光探测器需要冷却到很低的温度。因此它在很多情况下不适用。 有时需要采用一维或者二维光电探测器阵列。这时需要考虑一些其它的因素，例如，交叉干扰和读出技术。 很多应用都对器件尺寸、坚固性和成本有要求。

光电探测器原理

光电探测器，从其字面意思来看1，相信大家都能猜到，这种探测器能够将光信号转化为电信号。光电探测器的分类有好多种，根据器件工作原理的不同或者根据器件对辐射响应方式的不同，光电探测器一般分为两大类，一种是热探测器，还有一种是光子探测器。这个过程虽然不属于直接接收光信号的过程，但对光电探测器的综合性能有极大影响。光电探测器的工作原理是基于光电效应，热探测器基于材料吸收了光辐射能量后温度升高，从而改变了它的电学性能，它区别于光子探测器的特点是对光辐射的波长无选择性。